
التكنولوجيا اليومية
·11/10/2025
تتخذ سامسونج خطوات جريئة في تقنية أشباه الموصلات، حيث تستعد لإنتاج نسخة 2 نانومتر من شريحة Snapdragon 8 Elite Gen 5 من كوالكوم. هذه الخطوة الاستراتيجية تضع سامسونج في موقع يمكنها من التفوق على iPhone 17 Pro القادم من آبل — من حيث الأداء والكفاءة — من خلال البناء على تقنية Gate-All-Around (GAA) المتقدمة لديها، مما يشير إلى عصر جديد في منافسة الهواتف الذكية.
شريحة Snapdragon 8 Elite Gen 5 من كوالكوم تعتبر حاليًا من أقوى شرائح أندرويد، وقد صممت باستخدام تقنية TSMC N3P. ومع ذلك، تستعد سامسونج للارتقاء بمستوى تقنيتها من خلال تقديم عينات من إصدار 2 نانومتر تم بناؤه بمنهجية GAA المتطورة. هذا النهج الجديد يقلل بشكل كبير من المسافة بين الترانزستورات، مما يعزز الأداء والكفاءة مقارنة بعقدة 3 نانومتر الحالية.
هذا التطور ملحوظ بشكل خاص لأن مصنع سامسونج كان متأخرًا عن TSMC في المردود، وكفاءة الحرارة، وثبات العمليات. نجاح اختبار عينات شرائح 2 نانومتر يمثل نقطة تحول. إذا وافقت كوالكوم على حل سامسونج، فقد تجلب الشراكة فوائد كبيرة:
تشتهر آبل بالتكامل العالي والكفاءة في شرائح سلسلة A، مع اقتراب شريحة A19 Pro في iPhone 17 Pro لتكون المعيار الجديد. من خلال تصنيع شريحة كوالكوم المتميزة داخليًا باستخدام عمليات متقدمة، تهدف سامسونج إلى سد فجوة الأداء، بل وتجاوزها إن أمكن. إذا برهنت شريحة سامسونج على التوقعات، فقد يؤدي ذلك إلى تحويل سلسلة إمداد كوالكوم بعيدًا عن TSMC — وهي خطوة قد تعيد تشكيل ترتيب الصناعة الحالي.
إذا سارت الأمور كما هو مخطط، من المتوقع أن تظهر شريحة Snapdragon 8 Elite Gen 5 بحجم 2 نانومتر من صناعة سامسونج لأول مرة في Galaxy Z Flip 8، المتوقع في أواخر 2026. وسيشكل ذلك أول تحول كبير من TSMC إلى سامسونج لشرائح كوالكوم الرائدة، بشرط أن تقتنع كوالكوم بتحسينات الأداء، المردود، والكفاءة من سامسونج. ويمكن للمستهلكين توقع أجهزة تعمل بشكل أفضل، تدوم لفترة أطول، وبأسعار أكثر تنافسية نتيجة لذلك.