التكنولوجيا اليومية
·13/08/2025
ظهرت شريحة Snapdragon 8 Elite Gen 2 القادمة لأول مرة في نتائج الاختبارات المعيارية، وهي تشغل هاتف Samsung Galaxy S26 Edge. وقد أظهرت شريحة SoC الجديدة، التي من المتوقع الكشف عنها رسميًا في قمة كوالكوم سنابدراجون في 23 سبتمبر، أداءً مبهرًا أحادي النواة ومتعدد النواة، مما يشير إلى تقدم كبير في قوة المعالجة المحمولة.
تم رصد شريحة Snapdragon 8 Elite Gen 2 مؤخرًا في قواعد بيانات الاختبارات المعيارية، وتحديدًا وهي تعمل على هاتف Samsung Galaxy S26 Edge برقم الطراز SM-S947U. حقق الجهاز درجة أحادية النواة بلغت 3,393 ودرجة متعددة النواة بلغت 11,515 في Geekbench 6. هذه النتائج جديرة بالملاحظة بشكل خاص حيث تم تحقيقها مع نوى الأداء التي تعمل بتردد 4.00 جيجاهرتز، مع إمكانية الوصول إلى سرعات أعلى.
قدم هاتف Galaxy S26 Edge الذي تم اختباره، والمجهز بذاكرة وصول عشوائي (RAM) بسعة 12 جيجابايت، أداءً قويًا أحادي الخيط ومتعدد الخيوط. لوحظ أن نوى الأداء في الشريحة تعمل بتردد 4.00 جيجاهرتز، على الرغم من أنها مصنفة لتصل إلى 4.74 جيجاهرتز. تم ضبط نوى الكفاءة على تردد 3.63 جيجاهرتز. يُعزى هذا التعزيز في الأداء على الأرجح إلى اعتماد كوالكوم لعملية TSMC من الجيل الثالث بدقة 3 نانومتر، 'N3P'، والتي تعزز الكفاءة وتسمح بسرعات تردد أعلى.
بينما تعتبر هذه النتائج مثيرة للإعجاب، من المهم ملاحظة أن Geekbench 6 يقيس دفعات قصيرة من الأداء وقد لا يعكس الأداء المستمر أو الاختناق الحراري. تاريخيًا، سجلت أجهزة سامسونج أحيانًا درجات أقل في Geekbench مقارنة بالمنافسين، حتى مع شرائح مماثلة. قد توفر الاختبارات المعيارية المستقبلية، خاصة من الطرازات المتطورة مثل Galaxy S26 Ultra، صورة أوضح لقدرات Snapdragon 8 Elite Gen 2 الكاملة.









